多晶硅太阳能南都蓄电池具有独特的优势，与单晶硅比较，多晶硅半导体材料的价格比较低廉，但是由于它存在着较多的晶粒间界而有较多的弱点。多晶硅太阳能电池的实验室转换效率为18%，工业规模生产的转换效率为12%.非晶硅薄膜太阳能电池的研究工作开始于1975年。非晶硅（a-Si）属于直接转换型半导体，光的吸收率较大，较容易制造厚度小于0.5微米、面积大于1平方米的薄膜，并且易于与其他原子结合制造对近红外光高吸收的非晶硅锗（a-SiGe）集层光电池，是目前太阳能电池开发的热点之一，目前己经开发出集层结成型、连续分离成型以及激光布线成型等多种新技术，其中，lOcmxlOcm产品的初期转换率达12.0%，1cm2a-Si/a-SiGe集层太阳能电池的稳定后效率达10.6%，达到了目前世界先进的水平。日本三洋电机公司开发的大面积a-Si/a-SiGe集层太阳能电池（30cmx40cm），其稳定后效率达9. 5%.非晶硅薄膜太阳能电池组件的制造采用薄膜工艺，具有较多的优点，例如：沉积温度低、衬底材料价格较低廉，能够实现大面积沉积。非晶硅的可见光吸收系数比单晶硅大，是单晶硅的40倍，1微米厚的非晶硅薄膜，可以吸收大约90%的太阳光能。不过，非晶硅太阳能电池的稳定性较差，从而影响了它的迅速发展。美国科学家对非晶硅太阳能电池进行了深入的研究，发现非晶硅薄膜材料受到长时间的光照之后，光电导和暗电导的性能均有所降低，进行160 X：以上的篼温退火之后，可以恢复到光照之前的值，这就是所谓SW效应。科学家们己经掌握了降低这种光诱导效应的太阳能电池的结构及其制造方法。

非晶硅和多晶硅混合薄膜太阳能电池也是一种极有发展前景的新产品。由于非晶硅和多晶硅对太阳光谱的敏感区域不同，将这两种不同的材料用在同一块基板上，能够很好地取长补短，获得与结晶相近的转换率。由于这种产品属于硅薄膜材料，能够节省资源，对环境保护有利。日本钟渊化学公司目前已经开发出大小为91.0cmx45. 5cm，转换效率为10 6%、下层膜厚度为几微米的超薄型薄膜太阳能电池。

化合物太阳能南都蓄电池包括三五族化合物电池和二六族化合物电池。三五族化合物电池主要有GaAs电池、InP电池、GaSb电池等；二六族化合物电池主要有CaS/CuInSe电池、CaS/CdTe电池等。在三五族化合物太阳能电池中，GaAs电池的转换效率高，可达28%：GaAs是二元化合物，Ga是其它产品的副产品，非常稀少珍贵；As不是稀有元素但有毒。GaAs化合物材料尤其适用于制造高效电池和多结电池，这是由于GaAs具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感。由于具有这些特点，所以GaAs化合物材料也适合于制造高效单结电池。GaAs化合物太阳能电池虽然具有诸多优点，但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。为了解决这个问题，采用了聚光系统，该系统由于采用价格较低的塑料透镜和金属外壳，并且改进了南都蓄电池性能，因而深受广大用户青睐。